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G3VM-41GR8

G3VM-41GR8 MOS FET繼電器 實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻100mΩ！SOP型、實(shí)現(xiàn)大電流1A開(kāi)關(guān)的MOS FET繼電器 ? 連續(xù)負(fù)載電流1A。 ? 抑制輸出信號(hào)的衰減,導(dǎo)通電阻=1Ω（標(biāo)準(zhǔn)）。

  • 產(chǎn)品介紹

  • 規(guī)格參數(shù)

深圳市月盛電子有限公司供應(yīng)G3VM-41GR8 MOS FET繼電器
實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻100mΩ！SOP型、實(shí)現(xiàn)大電流1A開(kāi)關(guān)的MOS FET繼電器
? 連續(xù)負(fù)載電流1A。
? 抑制輸出信號(hào)的衰減,導(dǎo)通電阻=1Ω（標(biāo)準(zhǔn)）。

G3VM-41GR8參數(shù)如下：

■絕對(duì)最大額定（Ta ＝ 25℃）

項(xiàng)目 符號(hào) 額定 單位 條件
輸入側(cè) LED正向電流 IF 30 mA 　
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電壓 VR 5 V 　
粘合部位溫度 TJ 125 ℃ 　
輸出側(cè) 負(fù)載電壓（峰值A(chǔ)C/DC） VOFF 40 V 　
連續(xù)負(fù)載電流（峰值A(chǔ)C/DC） IO 1000 mA 　
導(dǎo)通電流降低比率 △ION/℃ -13.3 mA/℃ Ta≧25℃
脈沖導(dǎo)通電流 Iop 2 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125 ℃ 　
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 1500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度 Ta -40～+85 ℃ 無(wú)結(jié)冰、無(wú)凝露
貯藏溫度 Tstg -55～+125 ℃ 無(wú)結(jié)冰、無(wú)凝露
焊接溫度條件 — 260 ℃ 10s
（注1）: 測(cè)量輸入輸出間的耐壓時(shí)，分別對(duì)LED 針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

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